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European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 12/2 - 2009  - pp.135-136
TITRE
Éditorial

RÉSUMÉ
Le colloque Electronique de puissance du futur (EPF) est un colloque français bisannuel qui a pour objectif de rassembler les communautés universitaire et industrielle de l’électronique de puissance. Il accompagne périodiquement l’évolution de cette discipline et, pour sa 12e édition, cette manifestation a été organisée par le Laboratoire de microélectronique de puissance de l’université de Tours. Ce laboratoire, avec l’aide de l’Ecole polytechnique de l’université de Tours, du pôle de compétitivité « Sciences et systèmes de l’énergie électrique » et de la société STMicroelectronics, a permis le rassemblement de cette communauté scientifique. Les journées du colloque EPF 2008 ont montré, avec plus de 180 participants, l’intérêt constant que portent les communautés universitaire et industrielle à l’électronique de puissance. A travers 6 sessions orales et 2 sessions posters, cette conférence a été l’occasion de mettre en avant des thèmes de recherches forts, tels que les semi-conducteurs et l’intégration, les composants passifs et la fiabilité, avec un intérêt croissant pour les composants semi-conducteurs à grand gap, carbure de silicium et diamant. Notons également la très grande diversité des applications traitées, représentatives de la pénétration de l’électronique de puissance dans tous les secteurs du génie électrique. Parmi les 66 communications présentées, le comité scientifique a sélectionné 9 articles publiés dans ce numéro spécial de la revue EJEE, que l’on peut classer en 5 thèmes : l’intégration, les composants passifs, les composants semi-conducteurs, la compatibilité électromagnétique et la fiabilité. L’intégration est abordée par deux communications relatives à l’intégration monolithique sur silicium de fonctions de commande. Par la suite, trois communications concernent les composants magnétiques avec d’une part, leur intégration au sein de structures entrelacées multicellulaires et d’autre part, leur conception en vue de minimiser les pertes HF. Les composants semi-conducteurs à grand gap connaissent un développement important et deux communications ont été retenues parmi celles présentées au colloque : l’une concerne les diodes Schottky au carbure de silicium et l’autre montre l’intérêt du diamant pour l’électronique de puissance. La compatibilité électromagnétique est abordée à travers une étude sur la commande d’onduleurs multiniveaux visant à réduire les perturbations de mode électronique de puissance, est abordée avec la dernière communication sur la robustesse des substrats DBC. Les sujets traités dans ces publications ne peuvent pas être exhaustifs et représentatifs de l’ensemble des sessions du colloque ; néanmoins, ils montrent la diversité de l’électronique de puissance dont le rôle dans la conversion de l’énergie électrique ne fait que s’amplifier.

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