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European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 12/2 - 2009  - pp.137-147  - doi:10.3166/ejee.12.137-147
TITRE
Thyristor dual disjoncteur intégré pour convertisseur à commutation automatique

TITLE
New monolithically integrated power device for self-switching converters

RÉSUMÉ
Dans cet article, sont présentés les travaux réalisés en vue de l’intégration monolithique d’un nouvel interrupteur de puissance destiné aux convertisseurs à commutation automatique. Cette fonctionnalité, basée sur le concept d’intégration fonctionnelle, propose de réunir au sein d’un même bloc de silicium des fonctions de protection, d’autocommande et d’interrupteur de puissance. Son originalité concerne son comportement dynamique car cet interrupteur utilise un nouveau mécanisme de commutation, l’autocommutation, qui utilise la protection au coeur même du mécanisme de commutation. Après une présentation du cahier des charges et de l’architecture retenue pour réaliser cette nouvelle fonction de puissance, nous nous intéressons aux travaux de simulations physiques 2D nécessaires pour concevoir un dispositif basé sur le concept d’intégration fonctionnelle.

ABSTRACT
In this paper, a detailed analysis of the new monolithically integrated power device dedicated for self switching converters is carried out. This new functionality, based on the functional integration concept, integrates within a silicon die protection functions, selfcontrol and a power switch. The originality of the device resides in its dynamic behaviour. The device uses a new type of switching mode: the self-switching, which includes protection within the switching process .The analyses of the device operating principles as well as the optimization steps rely on 2D physical simulations.

AUTEUR(S)
Florence CAPY, Marie BREIL, Frédéric RICHARDEAU, Eric IMBERNON, Jean PIERRE LAUR, Jean LOUIS SANCHEZ

MOTS-CLÉS
intégration fonctionnelle, autocommutation, thyristor-MOS, simulation physique 2D.

KEYWORDS
power monolithical integration, self-switching device, MOS-thyristor, 2D physical simulation.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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