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European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 12/2 - 2009  - pp.149-167  - doi:10.3166/ejee.12.149-167
TITRE
Intégration monolithique de l'étage de sortie de la commande rapprochée d'un transistor VDMOS

TITLE
Monolithic integration of a gate driver within a VDMOS

RÉSUMÉ
Cet article s'inscrit dans la démarche d'intégration monolithique autour des transistors de puissance à structures verticales. Il fait l'état des avancées relatives à l'intégration monolithique, en technologie N-MOS auto-isolée, de l'étage de contrôle commande de l'électrode de grille des composants de puissance à grille isolée. Ce travail s'appuie sur la modélisation et l'analyse des conditions de bon fonctionnement en statique de transistors N-MOS latéraux intégrés au sein d'un transistor de puissance de type VDMOS via le partage complet du procédé technologique et l'adéquation des caractéristiques puissancecommande. Fort de cette analyse, un étage de sortie est conçu et réalisé. La validation expérimentale partielle est proposée en fin d'article.


ABSTRACT
This paper deals with the monolithic integration around vertical power devices. It presents the work carried out toward the integration of the gate driver within the power device, thanks to a N-MOS technology. It is based on modeling and analysis of correct functional operation of the lateral N-MOS devices thanks static curves. These devices are integrated within the power device thanks to a full share of technological steps between the two types of devices. Thanks to the analysis, a full gate driver is designed and integrated. At the end of the paper, the work is partially validated thanks to experimental results.


AUTEUR(S)
Binh-Dac NGUYEN, y. PHILIBERT, Jean-Christophe CRÉBIER, Christian SCHAEFFER

MOTS-CLÉS
intégration fonctionnelle, commande rapprochée des transistors de puissance, VDMOS, compatibilité électrique et technologique.

KEYWORDS
functional integration, gate drivers for power devices, VDMOS, electrical and technological compatibility.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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