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European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 12/2 - 2009  - pp.237-253  - doi:10.3166/ejee.12.237-253
TITRE
Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant

TITLE
Development of processing technology for diamond high power electronic devices

RÉSUMÉ
Dans cet article, nous faisons état de l'intérêt qu'offre le diamant pour l'électronique de puissance, et des verrous technologiques qui subsistent pour tirer pleinement partie de ses propriétés. Puis nous détaillons les études que nous avons menées concernant la fabrication de contacts ohmiques Ti/Pt/Au et Si/ Al sur diamant CVD. Ces deux types de contacts ont abouti à des résistivités de contact de 5.10-5 .cm2 . Nous mettons ensuite en avant une diode Schottky, que nous avons réalisée en tirant partie de nos études technologiques. Celle-ci affiche une densité de courant en direct de 1 200 A/cm2 à 5 V, pour une tension de claquage de 25 V. La mise en place d'une plate-forme de simulation de composants électroniques est enfin exposée et discutée.


ABSTRACT
In this paper, advantages offered by diamond for power electronics and technological issues that still need to be addressed are presented. Studies were carried out to fabricate Ti/Pt/Au and Si/Al ohmic contacts on CVD diamond, both leading to a 5.10-5 .cm2 contact resistivity. Then a Schottky diode, exhibiting 1200 A/cm2 at 5 V, and a 25 V breakdown voltage is presented. Finally, the development of a simulation platform is put forward and discussed.


AUTEUR(S)
Gabriel CIVRAC, Henri SCHNEIDER, Hui DING, Karine ISOIRD, Sodjan KONÉ, Jocelyn ACHARD

MOTS-CLÉS
diamant, grand gap.

KEYWORDS
diamond, wide bandgap.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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