ACCUEIL

Consignes aux
auteurs et coordonnateurs
Nos règles d'éthique
Auteurs : soumettez
votre article en ligne
Autres revues >>
European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 14/5 - 2011  - pp.553-567  - doi:10.3166/ejee.14.553-567
TITRE
Diode Schottky sur diamant CVD. Simulation, réalisation technologique et étude de protection périphérique

TITLE
CVD diamond Schottky barrier diode. Simulation, carrying out and edge termination techniques

RÉSUMÉ
Le diamant est un semi-conducteur grand gap aux propriétés exceptionnelles qui en font un matériau idéal pour l’électronique de puissance. Son utilisation devrait permettre le développement d’une nouvelle génération de dispositifs avec des performances jamais atteintes à ce jour, notamment dans le domaine des applications à forte puissance et/ou haute température. Dans cet article, nous présentons le développement de la filière technologique nécessaire à la réalisation de composants sur diamant. Nous présentons ici l’état actuel de nos travaux selon deux axes ; d’une part la plate-forme de simulation développée sur le support Sentaurus TCAD, et d’autre part le développement de différentes briques technologiques nécessaire à la réalisation des premières diodes Schottky. Ces résultats nous permettent de discuter de la qualité du matériau et de nos procédés.


ABSTRACT
Diamond is a wide band gap semiconductor material with outstanding properties for power electronic applications. Its use as an electronic material should allow the rise of a new generation of devices with performance ever achieved to date, particularly in high power and/or high temperature application field. In this paper, we present the development of diamond processing technology for high power electronic devices. The current state of work is illustrated by p-type CVD diamond Schottky barrier diode Sentaurus TCAD simulations, carrying out and an extensive study of edge termination techniques. The material quality and our processes are discussed in light of the obtained results.


AUTEUR(S)
Sodjan KONÉ, Hui DING, Fabien THION, Henri SCHNEIDER, Karine ISOIRD, Marie-Laure LOCATELLI, Dominique PLANSON, Jocelyn ACHARD, Riadh ISSAOUI

MOTS-CLÉS
diamant, grand gap, électronique de puissance.

KEYWORDS
diamond, wide bandgap, power electronic.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

 PRIX
• Abonné (hors accès direct) : 12.5 €
• Non abonné : 25.0 €
|
|
--> Tous les articles sont dans un format PDF protégé par tatouage 
   
ACCÉDER A L'ARTICLE COMPLET  (2,41 Mo)



Mot de passe oublié ?

ABONNEZ-VOUS !

CONTACTS
Comité de
rédaction
Conditions
générales de vente

 English version >> 
Lavoisier