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European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 15/2-3 - 2012  - pp.157-168  - doi:10.3166/ejee.15.157-168
TITRE
Effet de la cristallisation sur la rigidité diélectrique d'un parylène fluoré à haute température

TITLE
Crystallization effect on the dielectric strength of fluorinated parylene at high temperature

RÉSUMÉ

Le poly(α,α,α',α'-tetrafluoro-p-xylylene), ou parylène fluoré (PA-F), est un polymère qui pourrait être un candidat pour l’isolation de surface (encapsulation) des composants et modules de puissance haute température grâce à ses propriétés physiques. Cependant, aucune étude ne s’est, à ce jour, intéressée à l’évolution de sa rigidité diélectrique avec la température. Le travail présenté a pour objectif l’étude de la rigidité diélectrique des films de PA-F d’épaisseur 1,4 μm de 25 °C jusqu’à 400 °C. Des films de PAF ayant subi un recuit à 400 °C sous azote, modifiant leur état de cristallisation, ont également été caractérisés afin d’étudier l’influence de ce dernier sur la rigidité diélectrique. De même l’effet de l’épaisseur du film sur la rigidité diélectrique à 25 °C a été analysé pour des films de 1,4 et 4,8 μm avant et après recuit à 400 °C.



ABSTRACT

The poly(α,α,α',α'-tetrafluoro-p-xylylene), or fluorinated parylene (PA-F), is a polymer which could be a candidate for the surface insulation in power semiconductor devices operating at high temperature thanks to its physical properties. However, the evolution of its dielectric strength with the temperature has not been studied yet. Therefore, the aim of this work is to present the study of the dielectric strength of PA-F films of 1.4 μm in thickness, from 25 °C up to 400 °C. After an annealing of the films at 400 °C under nitrogen modifying their state of crystallization, they have been characterized in order to study the influence of this latter on the dielectric strength. Moreover, the effect of the film thickness on the dielectric strength at 25 °C has been analyzed for films of 1.4 and 4.8 μm.



AUTEUR(S)
Mireille BECHARA, Rabih KHAZAKA, Sombel DIAHAM, Marie-Laure LOCATELLI, Pierre BIDAN

MOTS-CLÉS
parylene F, cristallisation, champ de rupture, haute température, effet de l’épaisseur.

KEYWORDS
parylene F, crystallization, dielectric strength, high temperature, thickness dependence.

LANGUE DE L'ARTICLE
Anglais

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