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European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 17/5-6 - 2014  - pp.345-361  - doi:10.3166/ejee.17.345-361
TITRE
Conception et optimisation de la diode à superjonction et à tranchées profondes pour des applications 600 V

TITLE
Design and realization of deep trench superjunction diode for 600V applications

RÉSUMÉ

L’objectif de ce papier est de présenter l’optimisation et la réalisation d’une diode à superjonction et à tranchées profondes et de sa terminaison (DT-SJDiode) pouvant tenir des tensions de 600 V à l’état bloqué. Nous étudions l’influence des paramètres technologiques et géométriques sur la tenue en tension à partir de simulations effectuées sous Sentaurus TCAD. Des travaux précédents ont permis de valider certaines étapes technologiques et de dégager un procédé de fabrication pour des applications à 1200 V. Il s’agit ici d’optimiser ces différentes étapes qui influent sur les paramètres électriques (verticalité des tranchées, remplissage des tranchées de terminaison de jonction, etc.) pour des applications à 600 V.



ABSTRACT

The purpose of this paper is to present the Deep Trench SuperJunction Diode (DTSJDiode) optimization and realization with a 600V breakdown voltage. We present technological and geometrical parameters influences on the breakdown voltage with simulations performed with Sentaurus TCAD. Previous works allowed to validate some critical technological process steps and to create a technological process for 1200 V breakdown voltage applications. The main point here is to optimize those process steps (trench verticality, termination fulfilling...), which have an important influence on the electrical properties, in order to fabricate a 600 V breakdown voltage DT-SJDiode.



AUTEUR(S)
Sylvain NOBLECOURT, Josiane TASSELLI, Frédéric MORANCHO, Karine ISOIRD, Patrick AUSTIN, Pascal DUBREUIL, Aurélie LECESTRE

Reçu le 3 février 2015.    Accepté le 27 octobre 2015.

MOTS-CLÉS
diode à superjonction, terminaison à tranchées profondes, BenzoCycloButène.

KEYWORDS
superjunction diode, deep trench termination, BenzoCycloButene.

LANGUE DE L'ARTICLE
Anglais

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