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European Journal of Electrical Engineering
2103-3641
Revue des Systèmes
Revue Internationale de Génie électrique (1295-490X)
 

 ARTICLE VOL 7/3-4 - 2004  - pp.279-296  - doi:10.3166/rige.7.279-296
TITRE
Comportement de transistors IGBT en régimes répétitifs de courts-circuits

RÉSUMÉ
L'objet de cet article est l'étude du comportement de différents types de transistors IGBT (de technologies à base homogène (NPT) et à base épitaxiée (PT)), soumis à des régimes répétitifs de courts-circuits, pour différentes énergies de court-circuit, et différentes températures de boîtier (25°C et 125°C). Nous mettons en évidence, pour des conditions expérimentales données, la présence d'une énergie critique en dessous de laquelle les IGBT sont capables de supporter un très grand nombre de courts-circuits sans dégradation apparente de leurs caractéristiques.


ABSTRACT
This paper deals with the behaviour of IGBTs transistors (Non Punch-Through and Punch-Through technologies) under repetitive short-circuits operations with different shortcircuit energies, and different case temperatures (25°C and 125°C). We will point out, for given experimental conditions, a critical energy below which one these IGBTs are able to support a very large number of short-circuits without any visible degradation of their characteristics.


AUTEUR(S)
Frédéric SAINT-EVE, Stéphane LEFEBVRE, Zoubir KHATIR

MOTS-CLÉS
IGBT, courts-circuits, robustesse, fiabilité, cycles répétitifs, température, simulation thermique.

KEYWORDS
IGBT, short-circuits, robustness, reliability, repetitive conditions, temperature, thermal simulation.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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